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参数目录38412
> PHD16N03T,118 MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK
型号:
PHD16N03T,118
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
PHD16N03T,118 PDF
标准包装
2,500
系列
TrenchMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
13.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
100 毫欧 @ 13A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
5.2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
180pF @ 30V
功率 - 最大
32.6W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)
其它名称
934057666118
PHD16N03T /T3
PHD16N03T /T3-ND
查看PHD16N03T,118代理商
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